RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Porównaj
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Wynik ogólny
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
26
Wokół strony 12% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
23.7
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.3
5.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
26
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
23.7
Prędkość zapisu, GB/s
5.6
18.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1751
4124
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link