RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Porównaj
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Wynik ogólny
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
32
Wokół strony 28% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.6
11.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
5.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
32
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
11.1
Prędkość zapisu, GB/s
5.6
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1751
2855
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Kingston KHX16 4GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD32G133381 2GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link