RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Porównaj
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
29
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
5.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
29
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
5.6
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1751
3313
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link