RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Porównaj
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Wynik ogólny
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
27
Wokół strony 15% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
5.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
27
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
5.6
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1751
2687
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link