RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Porównaj
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Wynik ogólny
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
24
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
5.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
24
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
5.6
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1751
2326
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB Porównanie pamięci RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link