RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Porównaj
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Wynik ogólny
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
38
Wokół strony 39% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
5.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
38
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
5.6
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1751
2148
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19C 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link