RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Porównaj
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Wynik ogólny
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
31
Wokół strony 26% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.9
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
5.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
31
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
11.9
Prędkość zapisu, GB/s
5.6
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1751
2585
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link