RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Porównaj
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Wynik ogólny
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Wynik ogólny
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
30
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
5.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
30
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
5.6
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1751
3026
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link