RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Porównaj
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Wynik ogólny
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
58
Wokół strony 60% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.3
5.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
58
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
5.6
9.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1751
1968
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link