RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Porównaj
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Wynik ogólny
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Wynik ogólny
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
43
Wokół strony 47% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
5.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
43
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
5.6
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1751
2058
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Kingston KHX16 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link