RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Porównaj
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Wynik ogólny
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Wynik ogólny
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
27
Wokół strony 15% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.5
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
5.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
27
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
5.6
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1751
2511
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link