RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Porównaj
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Wynik ogólny
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
9.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
43
Wokół strony -10% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
14.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
39
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2506
2852
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link