RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Porównaj
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Wynik ogólny
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wynik ogólny
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
43
Wokół strony -72% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
25
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2506
2935
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
INTENSO 5641152 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link