Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    26 left arrow 43
    Wokół strony -65% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    17.8 left arrow 14.9
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    14.0 left arrow 9.6
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    21300 left arrow 12800
    Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    43 left arrow 26
  • Prędkość odczytu, GB/s
    14.9 left arrow 17.8
  • Prędkość zapisu, GB/s
    9.6 left arrow 14.0
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • Opis
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • Taktowanie / szybkość zegara
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2506 left arrow 3143
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania