RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Porównaj
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Wynik ogólny
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
43
Wokół strony -43% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
30
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2506
3208
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link