RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Porównaj
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Wynik ogólny
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
43
Wokół strony -139% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.3
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
18
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
16.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2506
3575
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Kingmax Semiconductor KLCC28F-A8KI5 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link