RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Porównaj
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Wynik ogólny
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wynik ogólny
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
43
Wokół strony -43% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
30
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2506
3258
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link