Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB

Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    23 left arrow 43
    Wokół strony -87% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    17.5 left arrow 14.9
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    13.2 left arrow 9.6
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    19200 left arrow 12800
    Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    43 left arrow 23
  • Prędkość odczytu, GB/s
    14.9 left arrow 17.5
  • Prędkość zapisu, GB/s
    9.6 left arrow 13.2
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • Opis
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Taktowanie / szybkość zegara
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2506 left arrow 3171
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania