RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Porównaj
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Wynik ogólny
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
43
Wokół strony -16% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
37
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2506
2356
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link