RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Porównaj
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Wynik ogólny
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
43
Wokół strony -34% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.6
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.4
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
32
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
22.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
16.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2506
3837
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link