RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Porównaj
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Wynik ogólny
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
9.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
8.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
43
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
38
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
9.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2506
2110
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link