RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Porównaj
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Wynik ogólny
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
7.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
43
Wokół strony -23% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
35
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
10.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
7.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2506
2124
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Corsair CMZ8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F3-10666CL7-4GBXH 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link