RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Porównaj
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Wynik ogólny
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
7.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
6.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
43
Wokół strony -5% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
41
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
7.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
6.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2506
1512
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link