RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Porównaj
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Wynik ogólny
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wynik ogólny
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
43
Wokół strony -72% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.0
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
25
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2506
3297
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Mushkin 991586 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link