RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Porównaj
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Wynik ogólny
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
43
Wokół strony -19% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.6
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
36
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2506
3372
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR533D2N4 512MB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link