RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Porównaj
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Wynik ogólny
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
7.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
43
Wokół strony -43% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
30
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
11.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2506
2266
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link