RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Porównaj
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Wynik ogólny
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
60
Wokół strony 28% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
6.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
4.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
60
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
6.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
4.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2506
1400
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link