RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Porównaj
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Wynik ogólny
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
43
Wokół strony -26% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
34
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2506
2830
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link