RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Porównaj
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Wynik ogólny
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wynik ogólny
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
11.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
9.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
43
Wokół strony -2% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
42
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
11.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
9.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2506
2551
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology C 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link