RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Porównaj
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Wynik ogólny
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
43
Wokół strony -54% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
28
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2506
3480
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link