RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Porównaj
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Wynik ogólny
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
43
Wokół strony -54% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.6
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.2
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
28
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
21.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
18.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2506
3890
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link