RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
59
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
2,123.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
40
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
13.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2204
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link