RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
13.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
59
Wokół strony -90% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3168
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link