RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
13.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
59
Wokół strony -181% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
21
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3226
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link