RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
12.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
59
Wokół strony -84% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
32
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3137
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link