RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
13.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
59
Wokół strony -111% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3250
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link