RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
16.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
59
Wokół strony -111% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3606
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link