RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
14.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
59
Wokół strony -74% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
34
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3415
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link