RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
59
Wokół strony -146% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
24
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3800
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
AMD R948G3206U2S 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link