RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
59
66
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
2,123.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
66
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2063
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link