RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
14.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
59
Wokół strony -69% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
35
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3245
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link