RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
13.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
59
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
37
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2990
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link