RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
16.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
59
Wokół strony -103% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
16.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3761
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
SK Hynix HYMP351F72AMP4N3Y5 4GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link