RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
11.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
59
Wokół strony -97% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
1847
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMK32GX5M2A4800C40 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link