RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
14.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
59
Wokół strony -103% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3398
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Kingston K531R8-ETB 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link