RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
13.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
59
Wokół strony -103% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3384
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Samsung M471B5273CH0-CK0 4GB
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link