RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
14.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
59
Wokół strony -103% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3687
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link