RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
16.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
59
Wokół strony -127% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
26
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
19.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
16.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
4012
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
InnoDisk Corporation 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link