RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
59
Wokół strony -127% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
26
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3783
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB
A-DATA Technology AM1L16BC4R1-B1HS 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451B6AFR8A
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link