RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
15.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
59
Wokół strony -111% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
15.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3550
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link